中国移动物联网专用卡技术指标分级

1.分级原则

由于各行业应用环境差异较大，对M2M专用卡各项指标要求也不尽相同，通过对各行业普

遍关注的技术指标进行分类汇总，并根据技术指标差异给出各级指标量化参数（如T1 –

T2 – H1 – C1 -„ - N1）。

注意：对于本标准未定义的指标要求，需根据具体行业需求另行规定。

表1 技术指标定义列表

指标代码	指标项	阐述要点
T	操作和存储温度	2
H	湿度	3
C	腐蚀	4
V	震动	5
A	模块附着力	6
R	数据保存时间	7
E	擦写次数	8
M	抗电磁干扰	9
X	抗X光	10
S	抗静电	11

2. 操作和存储温度

普通SIM卡的操作及存储温度标准范围是：-25°C~85°C。

M2M专用卡温度分为七个等级，分别是T1，T2，T3，T4，T5，T6，T7各等级的温度范围

如下表所示：

表2 温度指标列表

温度级别	指标要求
T1	-25 to +85°C
T2	-40 to +85°C
T3	-40 to +105°C
T4	-40 to +125°C
T5	-65 to +125°C
T6	-65 to +150°C
T7（存储温度）	-65 to +300°C

满足以上级别要求的M2M专用卡应保证：卡片暴露在温度范围规定的最高温度或者最低

温度下1000小时，卡的操作正常且存储正常（T7只要求存储温度）。

3. 湿度

湿度目前分为两个等级，指标要求如下表所示：

表3 湿度指标列表

湿度级别	指标要求
H1	在 50 度 温 度 ， 相 对 湿 度 范 围 90%~95%，1000小时的条件下，可以保证卡的操作和存储正常。
H2	在 85 度 温 度 ， 相 对 湿 度 范 围 90%~95%，1000小时的条件下，可以保证卡的操作和存储正常。

4. 腐蚀

腐蚀目前只有一个等级为C1，指标要求如下表所示：

表4 腐蚀指标列表

湿度级别	指标要求
C1	在5%盐度(NaCl)的环境下存储至 少24小时，卡的操作和存储正常。

5. 震动

震动分为三个等级，分别是V1，V2，V3，各等级的震动范围如下表所示：

表5 震动指标列表

震动级别	指标要求
V1	5Hz to 500Hz
V2	10Hz to 1000Hz
V3	20Hz to 2000Hz

满足以上级别要求的M2M专用卡应保证：在以上等级的震动环境下至少2小时，卡的操作

和存储正常。

对于加速度、振幅等的详细要求参见附录B。

针对V1的指标等级范围是附录B中的等级3～8；针对V2的指标等级范围是附录B中等级2；

针对V3的指标等级范围是附录B中的等级1。

6. 附着力

附着力目前只有一个等级为A1，指标要求如下表所示：

表6 附着力指标列表

附着力级别	指标要求
A1	对卡施加60N的拉力并持续1分钟， 模块不应从卡上分离，卡的操作和 存储正常。

7. 数据保存时间

数据保存时间是指在无源储存情况下的数据保存时间，不包括由于对M2M专用卡的擦写6

操作导致卡片数据损坏的情况。

数据保存时间分为四个等级，分别是R1，R2，R3，R4，各等级的指标要求如下表所示：

表7 数据保存时间指标列表

数据保存时间级别	指标要求
R1	10年
R2	15年
R3	20年
R4	25年

在每个时间指标下，根据最高存储温度范围，可分为85°C、105°C、125°C三个等级。

8. 擦写次数

擦写次数是指通过UPDATE指令(参见TS102.221)更新M2M专用卡内数据，保证M2M专用卡

可以正常擦写和读取的最小次数。在对M2M专用卡进行重复擦写数据存储区的情况下，保证

某些常用文件（例如SMS）和数据不会因频繁操作而导致损坏。

卡片擦写次数分为四个等级，分别是E1，E2，E3，E4，各等级的指标要求如下表所示：

表8 擦写次数指标列表

擦写次数级别	指标要求
E1	10万次
E2	50万次
E3	100万次
E4	500万次

9. 抗电磁干扰

抗电磁干扰分为两个等级，指标要求如下表所示：

表9 抗电磁干扰指标列表

电磁级别	指标要求
M1	在卡暴露在稳定的79500A/m （1000Qe）磁场下，不应降低卡片功能。
M2	在 卡 暴 露 在 稳 定 的640000A/m（1000Qe）磁场下， 不应降低卡片功能。

10. 抗 X 光(紫外线)

抗X光(紫外线)分为1个等级，指标要求如下表所示：

表10 抗X光指标列表

电磁级别	指标要求
X1	在卡的任何一面每边在受到0.1Gy 剂 量 ， 相 当 于 70 ～ 140KeV中等能量X射线照射时（一年的累计剂量），不应降低卡片功能。

11. 抗静电

抗静电分为三个等级，指标要求如下表所示：

表11 抗静电指标列表

静电级别	指标要求
S1	在卡暴露在2000V的静电环境中，不应降低卡片功能。
S2	在卡暴露在4000V的静电环境中，不应降低卡片功能。
S3	在卡暴露在8000V的静电环境中，不应降低卡片功能。