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国内的发展现状

　　集成度增加，集成电路芯片上的连线数目急剧上升，国内采用多层金属布线解决金属化中遇到的困难。用两层金属布线可完成特征尺寸为10μｍ以上的集成电路，0.35μｍ需要4～5层，总连线长度可达到380ｍ；0.13μｍ需要6～7层，总长度约为4ｋｍ，予计到0.07μｍ需要10层，总长达到10ｋｍ。采用多层金属互连可以显著缩短器件之间的连线密度，减小ＲＣ时间常数和缩小芯片，使速度、集成度和可靠性都得到提高。

　　用RLC模型来估计互连线间耦合电容及对其结果地一些模拟，基于分析得出地结论，研究一些算法，在一定的串扰约束下调整布线。

　　国内认为金属互连线的电阻、金属互连线间及金属层间的电容是互连线主要的寄生元件，它直接决定着互连线的ＲＣ延迟，关联着信号的串扰。降低互连线的电阻和线间及层间的总电容将减小互连线引起的时间延迟并改善串扰。低介电常数替代传统的二氧化硅，以及互连线和电介质材料的几何结构最优化是降低互连线寄生电容的两个主要措施。用低电阻率金属材料铜替代传统的铝作为互连线材料是降低互连线电阻的主要措施。

　　1.1.2 立题的目的与意义
　　学习并掌握深亚微米IC设计信号完整性问题的有关知识，找出影响信号完整性的因素，并研究其影响信号完整性的机理，对其提出一些解决方法，指导深亚微米IC设计，从而减少信号完整性对深亚微米IC设计的影响。