回看2013年，从TD-SCDMA到TD-LTE，由我国自主标准推动的TD产业已走过了15年的峥嵘历程。在这条中国谋取国际电信业话语权的道路上，我国芯片产业也从2G时代无芯，到3G时代有芯，并在4G时代努力实现 强芯的飞跃。
过去，芯片一直是制约TD-SCDMA发展的关键因素之一，但在2013年，经过TD-SCDMA产业发展的培育洗礼以及3G市场竞争的历练，我国芯片产业逐步发展壮大，这一瓶颈问题基本得到了根本解决。而随着TD-LTE商用化进程的推进，以及最终4G牌照的发放，我国TD芯片产业正进入新一轮黄金发展期。
如何把握这一黄金发展时期，成为中洋芯片厂商的思考，同时，在市场的变换涤荡中，海内外厂商的格局与前景也经历一番洗礼和变革，使得国芯片厂商迎来逆袭的机会，能否真正实现涅槃，还在于技术水平的提升、专利的储备以及产品演进研发的布局等。
嬗变的市场：TD芯片迎历史发展拐点
谈起TD芯片市场，不得不先说TD-SCDMA产业，在TD-SCDMA产业发展初期，芯片可谓整个产业链中最薄弱的环节。但在2013年，TD-SCDMA产业链终于完成了对WCDMA和CDMA2000的追赶和超越，特别是在最为薄弱的终端与芯片环节完成了反超。同时，随着4G牌照的发放，芯片厂商对支持TD-LTE的LTE芯片的开发加大，同时在2G、3G、4G融合发展的态势下，又促进了芯片厂商对TD-SCDMA的支持。
TD-SCDMA芯片
TD-SCDMA产业链的飞速发展得益于中国移动的大力推动。据了解，中国移动 2013年TD-SCDMA主设备招标，规模高达11.3万个基站，是自2007年TD-SCDMA建设以来规模最大的一次招标。几年来，中国移动TD-SCDMA累计网络投资已超过1800亿，终端补贴也超过300亿，总计2100亿元，目前仍在持续投入。
在中国移动的大力推动下，TD-SCDMA在芯片、终端等产业链各环节均取得了长足的进步，市场进入快速增长期。中国移动集团终端公司品质保障部副总经理穆家松公布的一组数据，凸显了TD市场的变化：2013年上半年TD入网手机达到598款，是同期WCDMA手机的2.1倍，是CDMAEVDO手机的5.3倍；TD终端总销量达6800万，单月销量均超1000万。
这也极大促进了国内外芯片厂商对TD-SCDMA芯片的研发与支持热情。例如，国内TD-SCDMA核心芯片商联芯科技今年发布首款TD-SCDMA四核智能手机芯片LC1813以及首款四核平板电脑芯片LC1913。国外博通大中华区总裁兼全球销售副总裁李廷伟表示：由于中国移动的手机需要支持TD-SCDMA，所以会把TD-SCDMA模块放进已有的四模芯片中，让它变成五模。
TD-LTE芯片
与此同时，2013年是TD-LTE发展的关键时期， TD-LTE技术和产业逐步迈向成熟，具备规模发展条件。在中国移动TD-LTE双百计划的带动下，在最终4G牌照发放的促进下，目前，全球有超过17家芯片企业投入LTE芯片的开发，远高于2G和3G时代数量。
就目前而言，国内外厂商在LTE芯片，尤其是对支持TD-LTE的LTE芯片上的开发上可谓不遗余力。从国际来看，高通已推出支持全球所有移动通信制式以及超过40个频段的LTE终端芯片及解决方案。Marvell的多模多频Modem芯片PXA1802已经量产， PXA1088 LTE版成熟方案平台今年年内也将量产，它将是业界首款面向大众市场的四核五模十三频Cat4LTE单芯片解决方案。
从国内来看，我国海思已推出支持五模的LTE终端芯片，展讯、联芯科技、中兴微电子的多模芯片也已达到商用化水平，其中，联芯科技推出全模SoC智能手机芯片采用28nm工艺，将助力终端客户实现从3G到支持全球LTE的4G制式的无缝迁移，进一步迈向全球市场。联发科年底推出了LTE modem，同时支持LTE FDD与TD-LTE，2014年上半年，基于四核或八核AP+4G Modem解决方案将进入量产，最终4G SoC将于下半年量产。
多变的格局：中洋厂商技术专利争端
随着TD芯片市场的崛起，以往对TD芯片静观其变的国际大厂商如高通、英特尔、Marvell、博通开始积极投身，而联发科、海思、联芯科技、中兴微电子等国内厂商也在奋起直追。
2013年，中洋厂商的竞相布局，几经潮起潮落，有的被拆分如意法爱立信，有的被收购如展讯，有的转型如联发科，为TD芯片市场格局存在多变的未知之数埋下伏笔。同时，促成目前芯片市场厂商格局多变的现状，很大成因在于海内外厂商在TD芯片技术与核心专利上的较量。
技术争端
据了解，为更好满足多网运营和国际漫游的需求，多模多频已成为运营商对LTE芯片的要求之一，尤其是中国移动，甚至将五模十频作为采购的硬性技术指标要求。在今年首批16万部TD-LTE终端招标中，绝大多数国内芯片厂商因此拒之门外，促成了高通一家独大。
这引起了业界极大争议。业内人士评论，这不利于TD-LTE芯片产业的健康发展；且无形之中推高了成本，阻碍了TD-LTE终端的普及，与中移动意图迅速推动TD-LTE网络大规模商用的意愿相违。
事实上，国内芯片厂商通过不断研发，已经完全能够实现GSM/TD-SCDMA/TD-LTE等模式的三模芯片成熟商用。TD产业联盟秘书长杨骅就曾指出，TD-LTE终端市场无需五模一刀切，在国内芯片企业五模产品还不成熟的时候，要有三模产品的发展空间。
中国移动也意识到高门槛导致TD-LTE终端举步维艰，开始调整策略，不再坚持五模十频的硬指标，开始引入三模产品。从五模降到三模，会极大的影响TD-LTE芯片供应格局，让苦苦追赶的国内芯片厂商，迎头赶上发展的良好机遇。
专利争端
此外，国家发改委还宣布启动对高通的反垄断调查，如果反垄断调查结果成立，高通公司可能面临最高12.3亿美元的罚款。一时间，这个在3G时代叱咤风云，拥有绝对主导权的芯片公司陷入被动，也让其在中国4G时代下的发展前景变得扑朔迷离。
虽然国家发改委未明确解释对高通公司展开反垄断调查的真正原因，但有观点认为，这或将与高通公司针对国内不同客户，在收取专利费时区别对待，采取不同的计价方式有关。也有传言称，目前正值高通公司与国内终端厂商进行4G技术专利授权的关键时刻，而高通公司表现出的强硬态度或许是点燃此次反垄断调查的导火索之一。
不过不管是什么原因，对于国产芯片厂商发展都将带来利好。有研究指出，本次反垄断调查能延缓高通在新一代通讯技术发展之际对于芯片与技术的进一步渗透，给予国内芯片厂商更多的时间和更宽裕的环境，研发、制造来提升实力及市场份额。
有关专家强调，4G时代，TD-LTE或将撬动千亿产业链，国内芯片企业应抓住机遇，加大自主研发力度，掌握更多核心专利技术，摆脱2G、3G时代受制于人的局面。
演进的未来：技术产品不断与时俱进
国内外芯片厂商尤其是国内芯片厂商要想在未来芯片市场上占据一席之地，开发工作必须要与新技术和新标准同步进行，同时不断提高芯片高集成度、高性能以及降低成本和功耗。
工艺制程
虽然在芯片环节还受限于多模多频的挑战，但一个显见的事实是制程工艺成熟度的提升是突破这一瓶颈的关键。在3G时代早期，多模TD芯片厂商基本采用65nm甚至90nm制程，导致成本功耗居高不下，一直阻碍着TD-SCDMA的发展。
但随着TD—LTE时代的到来，多模多频基带以及平台芯片复杂度的提高，以及成本、功耗要求的不断提高，联芯科技总经理助理、大唐电信集团首席专家刘光军指出，未来LTE芯片在工艺上要加速向28nm、20nm甚至更先进工艺演进，同时要求更先进的封装技术。单芯片SoC、系统级封装有助于实现芯片的小型化，进一步降低成本。
产品标准
除了要求基带和射频支持多模多频之外，从发展来看，TD-LTE智能终端还需应用处理器具备强大的数据与多媒体处理能力。联发科技中国区总经理章维力就表示，在4G时代，数据流量的爆发和智能手机多媒体化的发展成为主流特征，具有强大数据和多媒体能力的智能手机芯片将是市场发展的主要方向。
同时，虽然国内外厂商在LTE芯片领域高歌猛进，但Marvell移动产品总监张路指出：根据ITU的定义，4G应该是在定点状况，下载速率达1Gbps；在高速移动状况，下载速率达100Mbps。TDD和FDD技术都可以满足ITU 4G的标准。LTE只是迈向4G的第一步，以后会是LTE-Advanced。LTE-A明年就会在北美和欧洲开始商用，中国芯片厂商需做相应的技术储备和产品研发。
而对于LTE的后续演进，章维力指出，联发科会密切观察和参与LTE-A技术标准的制定，跟随运营商在LTE-A技术演进的步伐。在研发方面，芯片厂商应该做好无线技术方面的准备，同时也要面对超宽带无线技术对手机整体系统芯片带来的挑战。