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第2章是信号完整性的概述，主要分析了影响信号完整性的主要因素，并大致介绍了串扰噪声(cross-talk)，电迁移（Electromigration)，电压下降（IR Drop），天线效应（Antenna Effect）和接地反弹与衬底耦合（Ground bounce Underlay coupling）的情况，而且还简要介绍了解决这些影响因素的方法。

　　第3章主要研究了串扰，连线延迟和串扰是影响深亚微米版图设计的两个很重要的因素，两者都是从时序上影响设计。本章分析了串扰的起因，串扰可以由三种耦合机制引起，即电容、电感和辐射。从本质上说，辐射耦合是一种自感EMI扰乱，并可以把它视作在EMI设计框架里面。而且本章还详细介绍了电容串扰和电感串扰及其解决方法。

　　第4章主要研究了电迁移，在电路规模不断扩大，器件尺寸进一步减小时，互连线中电流密度在上升，铝条中的电迁移现在更为严重，成为VLSI中的一个主要可靠性问题。本章首先介绍了电迁移的原理及其影响因素，然后介绍了它的失效模式，最后分析了电迁移的解决措施。

　　第5章主要研究了电压降，IR Drop是由电线电阻和电源与地之间的电流所产生的。如果电线的电阻值过高或者单元的电流比预想的要大，一种难以接受的电压下降就会出现。简单的增加电线的线宽，降低电阻，并且由此电压降低，但是同时它也会减少布线的面积，并且在大多数条件下不会被接受。确立设计之后，从事于IR Drop问题，当今所普遍应用的技术并不是对这些问题行之有效的方法。为了使设计中电流下降的位置更加完善，并且可以自动地通过更宽地金属层为IR Drop的最低估计值提供路径，其所需要的是科学的设计和可用来实施的工具。本章进行了模拟仿真实验，证实了本章的论述。