近期集成电路产业领域一起中美合资合作项目，引发了业内对中国集成电路产业发展如何创新发展的讨论。

一部分不雅观点认为引进外资会对国内芯片产业带来巨大冲击，呼吁政府部门采取手段掩护已有的产业成果;另一部分不雅观点则持开放态度，认为“一花独放不是春”，在中国芯片产业发展中应该互通有无、优势互补，在公平竞争中实现产业健康发展。

如何看待我国集成电路产业自主可控发展过程的开放合作与公平竞争、引进消化与自主创新之间的关系，成为人们关注的问题。

引起讨论的是什么项目?

资料显示， 2017 年 5 月，大唐电信、联芯科技、建广资产、智路本钱等国内企业与美国高通公司颁布颁发合资设立瓴盛科技，聚焦消费类手机市场，通过有效整合各方资源提升产品竞争力及影响力。

该项目合资项目中，大唐电信集团是中国移动通信领域的国家队，主导了TD-LTE4G国际移动通信尺度，拥有TD-LTE核心技术专利，联合三家主要单位申报的“第四代移动通信系统(TD-LTE)关键技术与应用”项目荣获“ 2016 年度国家科技进步特等奖”。

联芯科技是大唐电信集团旗下手机通信芯片企业，多年来基于对中国客户需求的理解，积累了重要的研发人才;

建广资产和智路本钱多年来积极布局半导体产业领域的中国本钱，控股企业产品覆盖通信、汽车电子、消费、工业等领域，是鞭策国内半导体产业发展的重要力量之一。

高通则是全球移动通信领域的技术领先者，是移动互联网时代全球最顶尖的半导体芯片厂商。

在这一项目中，中方控股占76%。就是这样一起市场化的合资合作项目，引起了前述对集成电路产业开放合作、公平竞争与自主创新的大讨论。

核心技术差距明显，仍处学习和跟进阶段

虽然我国电子信息产业规模多年位居世界第一，但主要以整机制造为主，集成电路、半导体等产业和欧美企业比拟还存在较大差距。以智能终端为例，我国智能终端产业在核心芯片、关键器件领域面临长期挑战。当前国内智能终端关键元器件产业整体处于研发跟进的发展阶段，主流厂商旗舰机及高端款型在上游环节偏重于高通、美光、MTK、三星、SK海力士、索尼、新思、FPC等国际大厂，进而导致硬件配置趋同、整机同质化竞争严重。

为此国内半导体企业奋起直追，近年来也取得可喜的成果。紧抓4G发展浪潮实现技术水平的进一步提升，联芯科技在国内率先推出4GTD-LTE智能终端芯片，并成功实现千万级商用;华为海思基于台积电16nmFinFET工艺设计的麒麟950/ 955 在自有高端机型Mate8、P9 中得到应用，且能够支持LTEcat12、cat13UL网络尺度; 2017 年 2 月展讯推出首款采用Intel架构的14nm8 核 64 位中高端智能手机芯片平台SC9861。

尽管如此，我国终端芯片企业与国际领先企业仍存在不小差距。目前，国际上终端芯片领域多模多频、自研架构和高工艺高集成设计成为业界共同发展标的目的。高通依然是领先技术水平的代表，其新一代移动平台骁龙 835 采用三星10nmFinFET工艺，基于高通迄今为止功效最出色的CPU架构kryo280，最高主频可达2.45GHz，集成X16LTE的调制解调器可支持高达千兆级的连接;三星紧随其后，通过自有14nmFinFET工艺和自研 64 位架构Mongoose的结合，提升了Exynos8 芯片的高端化水平;MTK则以高性价比为主，最新的HelioX30 平台基于台积电10nm工艺。

所以，我们需要清醒的认识到，现阶段从核心人才到基础技术，我们仍处于学习和跟进的阶段。

中方主导、合资合作是符合国情的创新之路

集成电路产业是一个国际化、全球化产业，没有单一国家可闭关锁国，自成体系。在集成电路设计领域，当前我国企业(包孕展讯和联芯等)的手机芯片设计主要是在跨国企业的核心技术(如ARM的CPU授权、Candence公司的EDA工具技术授权)基础上进行产品层面的自主研发和技术创新。

在半导体制造领域，国内晶圆制造技术落后于世界领先水平达 2 代;集成电路产业结构仍待优化，缺乏有规模的设计制造整合(IDM)企业。我国的半导体制造业，虽然材料、设备已经进入一些大的foundry，但很多还没有能力大规模参与前沿制程的实现，至今还无法完全脱离海外材料、海外设备，工艺上更要借力人家的基础。

所以，现阶段谈我国集成电路产业创新发展，不是一个某技术节点的问题，很多突破远非单个企业所能为，更不能脱离开放合作谈自主创新，因为惧怕竞争而拒绝外来合作进行创新。